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2001 年，加州大學伯克利分校胡正明教授提出 FinFET方案。2011 年，英特爾正式商用 FinFET 工藝技術，之後臺積電也迅速跟進，在 16nm 節點中使用了 FinFET。從 16/14nm 開始，FinFET 成為了半導體器件的主流選擇。 FinFET 稱為鰭式場效電晶體（FinField-EffectTransistor；FinFET）是一種新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體。閘長已可小於 25 奈米，未來預期可以進一步縮小至 9 納米，約是人類頭髮寬度的 1 萬分之 1。 傳統平面的電晶體所採用的是 FD-SOI工藝。雖然這幾年的 FinFET 工藝占據了大多數人的視線，但是 FD-SOI 工藝依然非常重要。如果要是 FinFET 工藝核 FD-SOI 達到相同性能，FD-SOI 工藝在製造過程中相對簡單，但是 SOI 基片價格稍貴，而 FinFET 工藝雖然製造過程更為複雜，但是由於基片價格便宜，讓兩者的實際製造成本相差不大。 但是，由於工藝要求更高，FinFET 工藝在 5nm 以下節點遇到了問題。到了 5nm 節點後，雖然已經使用上了 EUV 光刻技術，但是基於 FinFET 結構進行的晶片尺寸的縮小，就變得更加困難。FinFET 工藝製造、研發成本也越來越高，即使在 7nm、5nm 仍能堅持，但是再往前似乎已經是力不從心。 ... 隨著電晶體尺度向 5nm 甚至 3nm 邁進，FinFET 本身的尺寸已經縮小至極限後，無論是鰭片距離、短溝道效應、還是漏電和材料極限也使得電晶體製造變得岌岌可危，甚至物理結構都無法完成。 不過，代工巨頭們並沒有回頭再去深究 FD-SOI 工藝，而是對環繞柵極（GAA）器件產生了極大的興趣。與 FinFET 工藝中的立體溝道三面都被柵極圍繞不同，到了 GAA，溝道由納米線（nanowire）構成，其四面都被柵極圍繞，從而再度增強柵極對溝道的控制能力，有效減少漏電。 總體而言，GAA 製造方式主要是通過外延反應器在集體上製造出超晶格結構，這樣的結構至少需要矽鍺材料或者三層矽材料堆疊而成，並且還需要形成 STI 淺槽隔離，接下來需要多晶矽偽柵成像、隔離層和內部隔離層成型、漏極和源極外延、溝道釋放、高 K 金屬柵極成型、隔離層中空、環形觸點成型等。 外界傳言，臺積電在 3nm 節點可能沒有三星這麼激進，繼續沿用 FinFET 工藝的可能性存在，在第二代 3nm 或 2nm 上才會升級到 GAA 電晶體技術。但英特爾和三星很可能押寶在 GAA 技術上，以此來縮小和臺積電之間的差距，甚至是超越臺積電。

文章來源取自於：

每日頭條 https://kknews.cc/news/6rmvkov.html

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